Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Modelowanie wpływu parametrów tranzystora HBT z bazą SiGe na prędkość nośników w bazie przy użyciu symulatora APSYS 2000

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Modelowanie wpływu parametrów tranzystora HBT z bazą SiGe na prędkość nośników w bazie przy użyciu symulatora APSYS 2000
Autorzy:: Linkowski, Adam
Współwytwórcy:: Łukasik, Lidia
Politechnika Warszawska. Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki
Jakubowski, Andrzej
Data publikacji:: 2004
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Język:: polski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Bibliogr.

Streszcz. ang.

Materiały z konferencji: VIII Konferencja "Technologia Elektronowa ELTE'2004"; Stare Jabłonki, 19-22 kwietnia 2004.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Modelowanie wpływu parametrów tranzystora HBT z bazą SiGe na prędkość nośników w bazie przy użyciu symulatora APSYS 2000