Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Modelowanie charakterystyk I-U tranzystora MOS na węgliku krzemu (4H-SiC oraz 6H-SiC)

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Modelowanie charakterystyk I-U tranzystora MOS na węgliku krzemu (4H-SiC oraz 6H-SiC)
Autorzy:: Stęszewski, Jędrzej
Współwytwórcy:: Politechnika Warszawska. Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki
Jakubowski, Andrzej
Data publikacji:: 2005
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Język:: polski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Bibliogr.

Streszcz. ang.

Materiały konferencyjne: VII Konferencja Naukowa "Technologia Elektronowa" ELTE 2004; Stare Jabłonki, 19-22 kwietnia 2004.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Modelowanie charakterystyk I-U tranzystora MOS na węgliku krzemu (4H-SiC oraz 6H-SiC)