Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Wpływ trawienia podłozy 4H-SiC na epitaksję GaN

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Wpływ trawienia podłozy 4H-SiC na epitaksję GaN
Współwytwórcy:: Wójcik, Marek
Caban, Piotr
Ratajczak, R.
Strupiński, Włodzimierz
Szmidt, J.
Kościewicz, Kinga
Pągowska, K.
Gaca, Jarosław
Turos, Andrzej
Data publikacji:: 2008
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Język:: polski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Bibliogr.

Streszcz. ang.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Wpływ trawienia podłozy 4H-SiC na epitaksję GaN