Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN
Współwytwórcy:: Piotrowska, Anna
Sochacki, Mariusz
Szmidt, Jan
Taube, Andrzej
Kamińska, Eliana
Instytut Technologii Elektronowej
Politechnika Warszawska. Wydział Elektroniki i Technik Informacyjnych. Instytut Mikroelektroniki i Optoelektroniki
Data publikacji:: 2013
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Język:: polski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Bibliogr.

Streszcz. ang.

Materiały z konferencji: XII Krajowa Konferencja Elektroniki; Darłówko Wschodnie, 10-13 czerwca 2013.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Modelowanie normalnie wyłączonych tranzystorów HEMT AlGaN/GaN z bramką p-GaN