Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Struktura geometryczna powierzchni warstw SiC otrzymanego metodą ECRCVD i MWCVD

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Struktura geometryczna powierzchni warstw SiC otrzymanego metodą ECRCVD i MWCVD
Autorzy:: Dul, Krzysztof
Współwytwórcy:: Akademia Górniczo-Hutnicza im. St. Staszica. Wydział Inżynierii Materiałowej i Ceramiki. Katedra Materiałów Ogniotrwałych i Procesów Wysokotemperaturowych
Jonas, Stanisław
Data publikacji:: 2005
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Język:: polski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Materiały z konferencji: VI Ogólnopolska Konferencja Naukowa: Obróbka Powierzchniowa; Kule k. Częstochowy, 20-23 września 2005.

Bibliogr.

Streszcz. ang.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Struktura geometryczna powierzchni warstw SiC otrzymanego metodą ECRCVD i MWCVD