Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

The influence of annealing (900?C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers

Szczegóły
Opis

Tytuł:: The influence of annealing (900?C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers
Współwytwórcy:: Mroczyński, Robert
Beck, Romuald B.
Konarski, Piotr
Głuszko, Grzegorz
Ćwil, Michał
Jakubowski, Andrzej
Data publikacji:: 2007
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-f/
Publikacja udostępniona za zgodą wydawcy. Całość ani żadna z jej części nie może być przetwarzana ani wykorzystywana w celach komercyjnych
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Bibliogr.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

The influence of annealing (900?C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers