Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Comparison of power semiconductor utilization and losses of 2.3 KV, 3.3 KV and 4.16 KV Neutral-Point-Clamped and series connected H-Bridge Multi-Level converters

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Comparison of power semiconductor utilization and losses of 2.3 KV, 3.3 KV and 4.16 KV Neutral-Point-Clamped and series connected H-Bridge Multi-Level converters
Autorzy:: Fazel, Seyed Saeed
Współwytwórcy:: Bernet, Steffen
Krug, Dietmar
Data publikacji:: 2006
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Bibliogr.

Materiały z konferencji: International Conference on Power Electronics and Intelligent Control for Energy Conservation, PELINCEC 2005.

Streszcz. pol.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Comparison of power semiconductor utilization and losses of 2.3 KV, 3.3 KV and 4.16 KV Neutral-Point-Clamped and series connected H-Bridge Multi-Level converters