Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Symulacje cienkowarstwowych tranzystorów polowych z kanałem z amorficznego In-Ga-Zn-O

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Symulacje cienkowarstwowych tranzystorów polowych z kanałem z amorficznego In-Ga-Zn-O
Współwytwórcy:: Piotrowska, Anna
Taube, Andrzej
Grochowski, Jakub
Kamińska, Eliana
Kaczmarski, Jakub
Data publikacji:: 2014
Źródło:: Biblioteka Główna Politechniki Warszawskiej
Język:: polski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Materiały z konferencji: XIII Krajowa Konferencja Elektroniki 2014, Sesja Specjalna, Przezroczyste Półprzewodniki Tlenkowe - nowa klasa materiałów półprzewodniowych dla przezroczystej elektroniki, optoelektroniki, fotowoltaiki i technik sensorowych; Darłówek Wschodni, 05-09 czerwca 2014.

Bibliogr.

Streszcz. ang.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Symulacje cienkowarstwowych tranzystorów polowych z kanałem z amorficznego In-Ga-Zn-O