Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

3D quantum mechanical simulation of square nanowire MOSFETs by using NEGF method

Tytuł:
3D quantum mechanical simulation of square nanowire MOSFETs by using NEGF method
Autorzy:
Dastjerdy, Esmaeil.
Współwytwórcy:
Sarvari, Hojjat
Ghayour, Rahim
Data publikacji:
2011
Tematy:
Nanotechnologia
Źródło:
Biblioteka Narodowa
Język:
angielski
Prawa:
http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Dostawca treści:
Academica
Artykuł
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Bibliogr.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies