Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Depth profile analysis of phosphorus implanted SiC structures

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Depth profile analysis of phosphorus implanted SiC structures
Współwytwórcy:: Żuk, Jerzy (fizyk)
Szmidt, Jan (1952- )
Turek, Marcin
Sochacki, Mariusz (elektronik)
Król, Krystian
Miśnik, Maciej
Konarski, Piotr (fizyk)
Data publikacji:: 2015
Tematy:: Fosfor - związki - fizyka
Karborund
Utlenianie
Implantacja jonów
Spektrometria mas jonów wtórnych
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

Proceedings of the X International Conference on Ion Implantation and other Applications of Ions and Electons ION 2014, Kazimierz Dolny, 2014.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies

Informacja

Depth profile analysis of phosphorus implanted SiC structures