Electronic properties of stacked ZrO₂ films fabricated by atomic layer deposition on 4H-SiC

Szczegóły
Opis

Tytuł:: Electronic properties of stacked ZrO₂ films fabricated by atomic layer deposition on 4H-SiC
Współwytwórcy:: Król, Krystian. Autor
Gierałtowska, Sylwia. Autor
Sochacki, Mariusz (elektronik). Autor
Wachnicki, Łukasz. Autor
Kwietniewski, Norbert. Autor
Data publikacji:: 2017
Tematy:: Tlenek cynku
Struktura elektronowa
Karborund
Fizykochemiczne metody badawcze
Właściwości fizyczne
Źródło:: Biblioteka Narodowa
Język:: angielski
Prawa:: http://www.europeana.eu/rights/rr-r/
Publikacja chroniona prawem autorskim - reprodukcja cyfrowa dostępna w czytelniach BN i na terminalach Academiki
Dostawca treści:: Academica
: Artykuł

Przejdź do źródła

artykuł z czasopisma naukowego

referat

artykuł z czasopisma fizycznego

Materiały z konferencji: 46th International School and Conference on the Physics of Semiconductors "Jaszowiec 2017", 17-23 czerwca 2017, Szczyrk.

Bibliografia na stronie 331.

Informacja

Electronic properties of stacked ZrO₂ films fabricated by atomic layer deposition on 4H-SiC