Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 4

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 4
Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET = Deep defect centres in active layer of MESFETs
Głębokie centra defektowe w warstwie czynnej tranzystorów MESFET
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Dobrzański Lech
Kozłowski Roman
Data publikacji:: 1993
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: głębokie centrum defektowe
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
deep defect centre
Electronic - journal - materials
GaAs
Elektronika - czasopismo - materiały
MESFET
Źródło:: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5774
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5774
ITME, sygn. dostępny
Język:: polski
Prawa:: Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Linki:: https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/13748/content Link otwiera się w nowym oknie
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
: Książka

Przejdź do źródła

9-27 s. : il. ; 24 cm.

9-27 s. : il.

Bibliogr. s. 25-27

Informacja