The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production

Tytuł:: The development of LEC technology for GaAs single crystal growth from laboratory scale to mass production
Materiały Elektroniczne 2003 T.31 nr 1/2
Autorzy:: Jurisch M.
Współwytwórcy:: Eichler St.
Data publikacji:: 2003
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
LEC
Electronic- materials
Electronic - journal - materials
SI GaAs
Źródło:: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5959
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5959
ITME, sygn. dostępny
Język:: angielski
Prawa:: Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Linki:: https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/17966/content Link otwiera się w nowym oknie
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
: Książka

Przejdź do źródła

Bibliogr. s. 17

7-17 s. : il. 24 cm.

Informacja