Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Wpływ szerokości pasma przenoszenia przetwornika konduktancyjno-napięciowego na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej

Tytuł:
Wpływ szerokości pasma przenoszenia przetwornika konduktancyjno-napięciowego na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej
Materiały Elektroniczne 2004 T.32 nr 1/4
Wpływ szerokości pasma przenoszenia przetwornika konduktancyjno-napięciowego na dokładność wyznaczania parametrów centrów defektowych metodą niestacjonarnej spektroskopii fotoprądowej =
Autorzy:
Pawłowski Michał
Data publikacji:
2004
Wydawca:
ITME
Słowa kluczowe:
PITS
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
defect centre
DLTS
Electronic - journal - materials
centrum defektowe
Elektronika - czasopismo - materiały
Źródło:
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5936
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5936
ITME, sygn. dostępny
Język:
polski
Prawa:
Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Linki:
https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/18025/content  Link otwiera się w nowym oknie
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
23-35 s. : il. 24 cm.

Bibliogr. s. 34-35

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies