Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Prace ITME 1991 z. 36

Tytuł:
Prace ITME 1991 z. 36
Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV = Application of deep level transient spectroscopy to investigation of III-V semiconductors defect structure
Zastosowanie niestacjonarnej spektroskopii głębokich poziomów do badania struktury defektowej półprzewodników typu AIIIBV
Autorzy:
Kamiński Paweł
Kamiński, Paweł
Data publikacji:
1991
Wydawca:
Wydaw. Przem. "WEMA"
Słowa kluczowe:
Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic materials
DLTS
AIIIBV
struktura defektowa
defect structure
Electronic - journal - material
Źródło:
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6123
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6123
ITME, sygn. dostępny
Język:
polski
Prawa:
Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Linki:
https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/33282/content  Link otwiera się w nowym oknie
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Bibliogr. s. 119-[127]

126, [2] s. : il. 24 cm.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies