Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska

Tytuł:
Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska
Wpływ zawartości płytkich domieszek na właściwości i koncentrację głębokich centrów defektowych w monokryształach SiC. Praca doktorska = Effect shallow impurities on the properties and concentrations of deep-level defect centres in SiC
Prace doktorskie
Autorzy:
Kozubal Michał
Współwytwórcy:
Kamiński, Paweł. Promotor.
Data publikacji:
2011
Wydawca:
Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Słowa kluczowe:
SiC
Elektronika - materiały
płytka domieszka
shallow impurity
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
centrum defektowe
defect center
Źródło:
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5357
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5357
ITME, sygn. P/2328
Język:
polski
streszcz. w jęz. ang.
Prawa:
Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Linki:
https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/36872/content  Link otwiera się w nowym oknie
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
Bibliogr. s. 118-126

126 s. : il., 30 cm.

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies