Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych

Tytuł:: Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych
Monokryształy Si GaAs o orientacji [310] jako materiał na podłoża do osadzania warstw epitaksjalnych = [310]-oriented SI GaAs single crystals as material for epitaxial substrates
Materiały Elektroniczne 2013 T.41 nr 2
Autorzy:: Hruban Andrzej
Współwytwórcy:: Piersa, Mirosław.
Piersa Mirosław
Orłowski Wacław
Jurkiewicz-Wegner Elżbieta
Mirowska Aleksandra
Rojek Anna
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: gallium arsenide
LEC
orientation
Czochralski method
arsenek galu
metoda Czochralskiego
orientacja
SI GaAs
Źródło:: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6442
ITME, sygn. dostępny
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_6442
Język:: polski
Prawa:: Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Linki:: https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/41656/content Link otwiera się w nowym oknie
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
: Książka

Przejdź do źródła

Bibliogr. s. 25

s. 18-25 : il. ; 30 cm.

Informacja