- Tytuł:
-
Materiały Elektroniczne 1973 nr 1
Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2 = Investigations on obtaining of gallium arsenide epitaxial layers from gase phase in the open system Ga-AsCl3-H2
Badania nad otrzymywaniem warstw epitaksjalnych arsenku galu z fazy gazowej w układzie otwartym Ga-AsCl3-H2 - Autorzy:
- Brzozowski Waldemar
- Data publikacji:
- 1973
- Wydawca:
- Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
- Słowa kluczowe:
-
warstwa epitaksjalna
homoepitaxy
CVD
Materialy elektroniczne
Electronic- materials
Electronic - journal - materials
GaAs
Elektronika - czasopismo - materiały - Źródło:
-
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5380
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5380
ITME, sygn. - Język:
- polski
- Prawa:
-
Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access - Linki:
- https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/541/content Link otwiera się w nowym oknie
- Dostawca treści:
- RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
- Książka
Menu główne
Wyszukiwarka
Treść główna
