Tytuł pozycji:

Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej = Measurement of charge carrier concentration in SiC wafers of bulk crystals and epitaxial layers using mercury probe

Tytuł:: Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej = Measurement of charge carrier concentration in SiC wafers of bulk crystals and epitaxial layers using mercury probe
Pomiar koncentracji nosników ładunku w płytkach monokryształów objętościowych i warstwach epitaksjalnych SiC za pomocą sondy rtęciowej
Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 3
Autorzy:: Brzozowski Andrzej
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: SiC
sonda rtęciowa
charge carrier concentration
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
koncentracja nośników ładunku
mercury probe
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały
Źródło:: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5988
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5988
ITME, sygn. dostępny
Język:: polski
Prawa:: Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Linki:: https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/7176/content Link otwiera się w nowym oknie
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
: Książka

Przejdź do źródła

Bibliogr. s. 90

76-91 s. : il. 24 cm.

Informacja