Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4

Tytuł:: Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4
Centra defektowe w warstwach epitaksjalnych GaAs0.6P0.4 = Defect centers in GaAs0,6P0,4 epitaxial layers
Materiały Elektroniczne 1985 nr 2(50)
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Strzelecka, Stanisława.
Surma Barbara
Strzelecka Stanisława
Data publikacji:: 1985
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
GaAsP
Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
Electronic materials
epitaxial layers
Electronic - journal - material
defect center
Źródło:: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5592
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5592
ITME, sygn. dostępny
Język:: polski
Prawa:: Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Linki:: https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/9314/content Link otwiera się w nowym oknie
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
: Książka

Przejdź do źródła

Bibliogr. s. 22

s. 16-22 : il. ; 24 cm.

s. 16-22 : il.

Informacja