Materiały Elektroniczne 1985 nr 3(51)

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1985 nr 3(51)
Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor = Electrically active in silicon doped by neutron transmulation: silicon-phosphorus
Materiały Elektroniczne 3(51)/1985
Elektrycznie czynne defekty w krzemie domieszkowanych fosforem poprzez neutronową transmutację krzem-fosfor
Autorzy:: Nowysz Karol
Współwytwórcy:: Strzelecka Stanisława
Jabłoński Ryszard
Kamiński Paweł
Bukowski Andrzej
Surma Barbara
Data publikacji:: 1985
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Si
defekt
Elektronika - czasopismo - materiały
NTD
defect
Materiały elektroniczne
Electronic materials
Electronic - journal - material
Źródło:: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5599
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5599
ITME, sygn. dostępny
Język:: polski
Prawa:: Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Linki:: https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/9485/content Link otwiera się w nowym oknie
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
: Książka

Przejdź do źródła

s. 34-46 : il. ; 24 cm.

s. 34-46 : il.

Bibliogr. s. 46

Informacja