Materiały Elektroniczne 1985 nr 3(51)

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1985 nr 3(51)
Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów = Compensation ratio determination for Si:P based on electron concentration temperature dependence
Materiały Elektroniczne 3(51)/1985
Określanie stopnia kompensacji w Si : P na podstawie temperaturowej zależności koncentracji elektronów
Autorzy:: Kot Waldemar
Współwytwórcy:: Strzelecka Stanisława
Lichowski Maciej
Data publikacji:: 1985
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Si
S
compensation payments LFA
kompensacja
Elektronika - czasopismo - materiały
koncentracja elektronów
Materiały elektroniczne
Electronic materials
Electronic - journal - material
electron concentration
Źródło:: http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5600
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5600
ITME, sygn. dostępny
Język:: polski
Prawa:: Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Linki:: https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/9486/content Link otwiera się w nowym oknie
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
: Książka

Przejdź do źródła

s. 47-59 : il.

s. 47-59 : il. ; 24 cm.

Bibliogr. s. 56

Informacja