Informacja

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Tytuł pozycji:

Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs = The investigation of Si GaAs single crystals perfection

Tytuł:
Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs = The investigation of Si GaAs single crystals perfection
Materiały Elektroniczne 1988 nr 3(63)
Badania doskonałości strukturalnej monokryształów SI GaAs
Autorzy:
Pawłowska Marta
Współwytwórcy:
Dąbrowska Irena
Orłowski Wacław
Data publikacji:
1988
Wydawca:
Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:
single crystal
Elektronika - czasopismo - materiały
monokryształ
SI GaAs
Materiały elektroniczne
doskonałość strukturalna
Electronic materials
structural perfection
Electronic - journal - material
Źródło:
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmePL/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5654
http://katalog.pan.pl/webpac-bin/218bitmeEN/wgbroker.exe?new+-access+top+search+open+NR+kv_5654
ITME, sygn. dostępny
Język:
polski
Prawa:
Prawa zastrzeżone - dostęp nieograniczony
Rights Reserved - Free Access
Linki:
https://rcin.org.pl/dlibra/publication/edition/9953/content  Link otwiera się w nowym oknie
Dostawca treści:
RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych
Książka
  Przejdź do źródła  Link otwiera się w nowym oknie
s. 11-13 : il. ; 24 cm.

s. 11-13 : il.

Bibliogr. s. 13

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies