Synthesis of anisotropic metallic nanostructures on crystal semiconductors surfaces

Thesis focuses ion beam bombardment examining the surface of InSb (001) and annealing it at appropriate temperatures. As a result of nostoichiometric sputtering material appears on the surface excess indium atoms. The quality of the obtained surfaces and the metal structures strongly influenced by the degree of ion beam bombardment and annealing temperature of the sample. Annealing at suitable temperatures leads to atomically flat and clean surface of InSb (001). Redundant indium assembly in the island-like drops, which are oriented along the <001>.

Praca skupia się na badaniu wpływu bombardowania wiązką jonową na powierzchnię InSb(001) i wygrzewaniu jej w odpowiednich temperaturach. W wyniku niestechiometrycznego rozpylania materiału na powierzchni pojawia się nadwyżka atomów indu. Na jakość otrzymanych powierzchni i struktur metalicznych silny wpływ ma doza wiązki jonowej, temperatura bombardowania i wygrzewania próbki. Wygrzewanie w odpowiednich temperaturach prowadzi do powstania atomowo płaskich i czystych powierzchni InSb(001). Nadmiarowy ind gromadzi się w wyspy przypominające krople, które zorientowane są wzdłuż kierunku <001>.