Temat: III-V semiconductors

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Surface electronic structure of InSb(001)-c(8 × 2)
Autorzy:: Vobornik, I.
Michel, E. G.
Taleb-Ibrahimi, A.
Tejeda, A.
Kołodziej, Jacek
Valbuena, M. A.
Segovia, P.
Walczak, Łukasz
Goryl, Grzegorz
Data publikacji:: 2013
Słowa kluczowe:: surface states
electronic structure
III–V semiconductors; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Dependence of GaAs and Si surface energy on the misorientation angle of crystal planes
Autorzy:: Zdyb, A.
Olchowik, J. M.
Mucha, M.
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: półprzewodniki III-V
powierzchnia międzyfazowa
związki galu
III-V semiconductors
interface; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: AMMONO-GaN substrates for microwave and RF electronics applications
Autorzy:: Dwiliński, R.
Doradziński, R.
Sierzputowski, L.
Kucharski, R.
Zając, M.
Data publikacji:: 2012
Słowa kluczowe:: azotek galu
metoda amonotermalna
półprzewodniki III-V
gallium nitride
ammonothermal
III-V semiconductors; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Photoreflectance study of partially relaxed epitaxial InGaAs on GaAs
Autorzy:: Motyka, M.
Gelczuk, Ł.
Dąbrowska-Szata, M.
Serafinczuk, J.
Kudrawiec, R.
Misiewicz, J.
Data publikacji:: 2009
Słowa kluczowe:: III-V semiconductors
PR spectroscopy
X-ray diffraction
strain relaxation
gallium indium arsenide; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Modelling of radial steam oxidation of AlAs layers in cylindrically symmetric mesa structures of vertical-cavity surface-emitting lasers
Autorzy:: Nakwaski, W.
Maćkowiak, P.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: związki glinu
III-V półprzewodnik
półprzewodniki III-V
laser
laser półprzewodnikowy
aluminium compounds
III-V semiconductors
surface-emitting lasers
semiconductor laser; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: High optical anisotropy of the Ga⁢Sb/Ga𝑥⁢In1−𝑥⁢As𝑦⁢Sb1−𝑦 interface
Autorzy:: Rygała, Michał
Współwytwórcy:: Rygała, Michał
Data publikacji:: 2025-07-10
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Physics
carrier dynamics
doping effects
optoelectronics
luminescence
heterostructures
III-V semiconductors
quantum wells
solid-state interfaces; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Non-contact atomic force microscopy studies of (2 × 4) InP(0 0 1) surface
Autorzy:: Such, Bartosz
Krok, Franciszek
Szymoński, Marek
Piątkowski, Piotr
Kołodziej, Jacek
Data publikacji:: 2006
Słowa kluczowe:: surface reconstruction
indium phosphide
InP
atomic surface structure
non-contact atomic force microscopy, NCAFM
III-V semiconductors; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Structure of the In-rich InAs (001) surface
Autorzy:: Toton, Dawid
Goryl, Maria
Kołodziej, Jacek
Tomaszewska, Natalia
Goryl, Grzegorz
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: atomic-force microscopy
surface structure
III–V semiconductors
scanning tunneling microscopy
surface structure calculations
density functional theory; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Uniwersytetu Jagiellońskiego

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Fotoniczne układy scalone
Autorzy:: Ławniczuk, K.
Piramidowicz, R.
Szczepański, P.
Smit, M. K.
Leijtens, X. J. M.
Data publikacji:: 2011
Słowa kluczowe:: fotoniczne układy zintegrowane
urządzenia fotoniczne
generyczna integracja
półprzewodniki grupy III-V
technologia InP
photonic integrated circuits
photonic devices
generic integration
III-V semiconductors
InP technology; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: High-performance 980-nm strained-layer InGaAs/GaAs quantum-well lasers
Autorzy:: Bugajski, M.
Regiński, K.
Mroziewicz, B.
Kubica, J.M.
Sajewicz, P.
Piwoński, T.
Zbroszczyk, M.
Data publikacji:: 2001
Słowa kluczowe:: laser
gęstość prądu
arsenek galu
półprzewodniki III-V
III-V półprzewodnik
związki indu
wiązka laserowa
laser o studni kwantowej
current density
gallium arsenide
III-V semiconductors
indium compounds
laser beams
quantum well laser; Pokaż więcej
Dostawca treści:: BazTech

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "III-V semiconductors" wg kryterium: Temat