- Tytuł:
- Pt/Al2O3/HfO2/Ti/TiN bi-layer RRAM device for imply–inhibit logic applications: Unveiling the resistive potential by experiment and simulation
- Autorzy:
-
Natarajan, Nithya
Kuppusamy, Paramasivam - Data publikacji:
- 2025
- Słowa kluczowe:
-
AlO/HfO bi-layer RRAM
atomic layer deposition
VTEAM
resistive switching
imply–inhibit logic - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł