Wszystkie pola: epitaxial structures

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1980 nr 3/4(31/32)
Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych = The effective causes of the nanuniformity of the silicon epitaxial layers resistivity in multilayer structures
Przyczyny rozrzutów rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych w układach wielowarstwowych
Autorzy:: Tomaszewski Jacek
Współwytwórcy:: Korec Jacek
Brzozowski Andrzej
Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Data publikacji:: 1981
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: Electronic - materials
Materiały elektroniczne
krzemowa warstwa epitaksjalna
silicon epitaxial layer
rezystywność
resistivity
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 4
Określenie koncentracji współczynnika segregacji aktywnych jonów ziem rzadkich w warstwach epitaksjalnych i strukturach falowodowych YAG
Określenie koncentracji współczynnika segregacji aktywnych jonów ziem rzadkich w warstwach epitaksjalnych i strukturach falowodowych YAG = Determination of concentration and the segregation of active rare earth ions in YAG epitaxial layers and waveguide structures
Autorzy:: Sarnecki Jerzy
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: YAG
koncentracja jonów
Electronic - materials
ions concentration
lattice constant
Materiały elektroniczne
współczynnik segregacji jonu
Electronic - journal - materials
segregation coefficient
stała sieci
LPE
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Wzrost z fazy ciekłej i charakteryzacja laserowych struktur falowodowych Nd:YAG/YAG
Wzrost z fazy ciekłej i charakteryzacja laserowych struktur falowodowych Nd:YAG/YAG = Liquid phase epitaxial growth and characterization of Nd:YAG/YAG waveguide laser structures
Materiały Elektroniczne 2000 T.28 nr 4
Autorzy:: Sarnecki Jerzy
Data publikacji:: 2000
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Materiały elektroniczne
waveguide laser structure
Nd:YAG
Electronic- materials
Electronic - journal - materials
LPE
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV. Praca doktorska
Prace doktorskie
Rentgenodyfrakcyjna analiza odkształceń koherentnych w półprzewodnikowych strukturach warstwach AIIIBV. praca doktorska = X-ray diffractiometric analysis of coherence deformation in AIIIBV semiconductor layered structures
Autorzy:: Sass Jerzy
Współwytwórcy:: Pajączkowska Anna. Promotor.
Data publikacji:: 1998
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: dyfrakcja rentgenowska
warstwa epitaksjalna
Elektronika - materiały
epitaxial layer
misfitdislocation
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
AIIIBV
x-ray diffraction
dyslokacja niedopadowania; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja