Autor: Brzozowski, Dariusz

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Electronic Materials Vol. 42 Nr 1
Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego
Materiały Elektroniczne. T. 42 Nr 1
Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego = A method of obtaining monocrystalline silicon foils using porous silicon
Autorzy:: Sarnecki Jerzy
Współwytwórcy:: Lipiński Dariusz
Brzozowski Andrzej
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
epitaxial layer
krzem porowaty
folia krzemowa
CVD
silicon foil
porous silicon; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym = Silicon epitaxial deposited porous silicon for photovoltaic applications
Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym
Materiały Elektroniczne 2012 T.40 nr 3
Autorzy:: Lipiński Dariusz
Współwytwórcy:: Brzozowski Andrzej
Sarnecki Jerzy
Mazur Krystyna
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: solar cell
warstwa epitaksjalna
Elektronika - czasopismo - materiały
epitaxial layer
krzem porowaty
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
ogniwo słoneczne
CVD
porous silicon
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Wysokorezystywne wzorce do profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym
Materiały Elektroniczne 2013 T. 41 nr 4
Wysokorezystywne wzorce do profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym = High resistivity standards for measurement of resistivity profile in silicon epitaxial layers by spreading resistance method
Autorzy:: Brzozowski Andrzej
Współwytwórcy:: Lipiński Dariusz
Sarnecki Jerzy
Wodzińska Halina
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: oporność rozpływu
warstwa epitaksjalna
krzem monokrystaliczny
rezystywność; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Epitaksja krzemu na krzemie porowatym = Silicon epitaxy over porous silicon
Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 3
Epitaksja krzemu na krzemie porowatym
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Lipiński Dariusz
Brzozowski Andrzej
Pawłowska Marta
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: silicon epitaxy
krzem porowaty
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
fizyczno-chemiczne osadzanie z fazy gazowej
CVD
porous silicon
epitaksja krzemu
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Fotoluminescencja krzemu porowatego = Photoluminescence from porous silicon
Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 4
Fotoluminescencja krzemu porowatego
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Lipiński Dariusz
Brzozowski Andrzej
Surma Barbara
Data publikacji:: 1993
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: fotoluminescencja
krzem porowaty
Materiały elektroniczne
Electronic - materials
photoluminescence
porous silicon
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja