- Tytuł:
-
Pomiar rozkładu fosforu w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx w oparciu o efekt fotowoltaiczny
Materiały Elektroniczne 1980 nr 1(29)
Pomiar rozkładu fosforu w warstwach epitaksjalnych GaAs1-xPx w oparciu o efekt fotowoltaiczny = Phosphorus contents profile measurement in GaAs1-xPx epitaxial layers, based on photovoltaic phenomenon
Materiały Elektroniczne 1980 nr 1|(29) - Autorzy:
- Roszkiewicz Krzysztof
- Współwytwórcy:
- Brzozowski Andrzej
- Data publikacji:
- 1981
- Wydawca:
- Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
- Słowa kluczowe:
-
GaAsP
efekt fotowoltaiczny
photovoltaic phenomenon
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
koncentracja fosforu
phosphorus concentration
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych