Temat: Epitaxy - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: MST News Poland 1996 nr 1
Silicon for MST applications
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Zabierowski Piotr
Data publikacji:: 1996
Wydawca:: Institute of Electronic Materials Technology
Słowa kluczowe:: epitaxy
MST
krzem porowaty
porous silicon
epitaksja; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: InP nanowires for photovoltaic applications
Nanodruty InP do zastosowań w fotowoltaice
Materiały Elektroniczne. T. 43 Nr 4
Electronic Materials Vol. 43 Issue 4
Autorzy:: Dumiszewska Ewa
Współwytwórcy:: Jóźwik Iwona
Strupiński Włodzimierz
Krajewska Aleksandra
Grodecki Kacper
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: solar cell
InP
nanowires
Nanidorus
epitaxy
epitaksja
ogniwa słoneczne; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Modyfikacja technologii polerowania płytek GaSb stosowanych jako podłoża w procesie epitaksji = Modification of mechanical-chemical treatment technology of epi-ready GaSb substrates
Materiały Elektroniczne. T. 42 Nr 2
Modyfikacja technologii polerowania płytek GaSb stosowanych jako podłoża w procesie epitaksji
Electronic Materials T. 42 Nr 2
Autorzy:: Smoczyński, Dariusz
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: GaSb
obróbka mechaniczno-chemiczna
oxidation
roughness
mechanical - chemical treatment
epitaxy
epitaksja
utlenianie katalityczne; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology
Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych
Materiały Elektroniczne 1978 nr 1(21)
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Tomaszewski Jerzy
Grudzieński Andrzej
Data publikacji:: 1978
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: reversed epitaxy
Si
epitaksja odwrotna
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
CVD
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1985 nr 2(50)
Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu
Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Szymkiewicz Andrzej
Sarnecki Jerzy
Data publikacji:: 1985
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: autodoping
Elektronika - czasopismo - materiały
samodomieszkowanie
Materiały elektroniczne
Electronic materials
epitaksja Si
CVD
Si epitaxy
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Krzemowe warstwy homoepitaksjalne
Prace ONPMP 1978 z. 6
Krzemowe warstwy homoepitaksjalne = Homoepitaxial silicon layers
Proceedings of ONPMP 1978 z. 6
Autorzy:: Korec Jacek
Współwytwórcy:: Rupniewski Wojciech
Wójcik Marek
Data publikacji:: 1978
Wydawca:: Wydaw. Przem. Masz. "WEMA"
Słowa kluczowe:: silicon epitaxy
Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
homoepitaxial layer
Electronic materials
warstwa homoepitaksjalna
epitaksja krzemu
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1976 nr 4(16)
Osobliwości wzrostu warstw epitaksjalnych z ograniczonej objętości roztworu ciekłego = Peculiarties of the epitaxial layers fropm limited volume of liquid solution
Osobliwości wzrostu warstw epitaksjalnych z ograniczonej objętości roztworu ciekłego
Autorzy:: Litwin A.A.
Współwytwórcy:: Nowysz, K. Tł.
Maronczuk I.E.
Puchow J.G.
Data publikacji:: 1976
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: epitaksja z fazy ciekłej
Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
epitaxy
wzrost epitakslany
Electronic - material
LPE
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Dyfuzja niklu w procesie wzrostu klrzemowych warstw epitaksjalnych
Materiały Elektroniczne 1994 T.22 nr 4
Dyfuzja niklu w procesie wzrostu klrzemowych warstw epitaksjalnych = Nickel diffusion during the growth of epitaxial silicon
Autorzy:: Plewa Dariusz
Współwytwórcy:: Kamiński Paweł
Kozłowski Roman
Data publikacji:: 1994
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: silicon epitaxy
dyfuzja
Ni
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
nickel diffusion
Electronic - journal - materials
epitaksja krzemu
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Charakteryzacja warstw epitaksjalnych z tellurku kadmowo-rtęciowego (Hg1-xCdxTe) za pomocą wykonanych fotodiod = Characterization of mercury cadmium telluride (Hg, Cd, Te) epitaxial layers using the manufacturing photodiodes
Charakteryzacja warstw epitaksjalnych z tellurku kadmowo-rtęciowego (Hg1-xCdxTe) za pomocą wykonanych fotodiod
Materiały Elektroniczne 2011 T.39 nr 3
Autorzy:: Królicka Aleksandra
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: MOCVD
Elektronika - czasopismo - materiały
photodetector
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
photodiode
epitaxy
epitaksja
Electronic - journal - materials
fotodetektor
infrared detector; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 1
Optymalizacja profilu koncentracji domieszki w warstwach GaAs otrzymywanych metodami MOVPE i HVPE
Optymalizacja profilu koncentracji domieszki w warstwach GaAs otrzymywanych metodami MOVPE i HVPE = Optimalization of doping profile in GaAs epilayers obtained by MOVPE and HVPE methods
Autorzy:: Strupiński Włodzimierz
Data publikacji:: 1993
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: doping profile
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
epitaxy
epitaksja
Electronic - journal - materials
profil koncentracji domieszki
GaAs
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "Epitaxy" wg kryterium: Temat