- Tytuł:
- Mobility of Holes in Nanometer Ge-on-Si p-Type Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistors at Low Temperatures
- Autorzy:
-
Grigelionis, I.
Fobelets, K.
Vincent, B.
Mitard, J.
De Jaeger, B.
Simoen, E.
Hoffman, T.
Yavorskiy, D.
Łusakowski, J. - Data publikacji:
- 2011-11
- Wydawca:
- Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
- Tematy:
-
72.20.My
85.30.Tv - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł