Temat: ‑gate - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Polyphase Comb Filter Based on Dispatching Input Bit-stream and Interlaying Multiplexer Techniques for Sigma-Delta ADCs
Autorzy:: Abdollahvand, S.
Goes, J.
Paulino, N.
Gomes, L.
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: filtr decymacyjny
filtr wielofazowy
modulator sigma-delta
field-programmable gate array
FPGA
decimation filter
Polyphase Comb filter
sigma-delta modulators
field programmable gate array (FPGA); Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Calibration of a mixed-signal power network transient stability analysis emulator
Autorzy:: Lanz, G
Fabre, L.
Lilis, G
Kyriakidis, T
Sallin, D
Cherkaoui, R.
Kayal, M.
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: analog computer
calibration
field programmable gate array (FPGA)
FPGA
mixed signal
power system dynamics
komputer analogowy
kalibracja
field-programmable gate array
sygnał mieszany
dynamika systemu elektroenergetycznego; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: FPGA implementations of low precision floating point multiply-accumulate
Autorzy:: Amaricai, A.
Boncalo, O.
Sicoe, O
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: digital arithmetic
floating point arithmetic
FPGA
field programmable gate array (FPGA)
multiply-accumulate
dot product
arytmetyka cyfrowa
arytmetyka zmiennoprzecinkowa
field-programmable gate array
MAC
iloczyn skalarny; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Small-Signal Parameters of the VeSFET and Its Application in Analog Circuits
Autorzy:: Kasprowicz, D.
Swacha, B
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: VeSFET
VeSTIC
OTA
układ analogowy
analog circuit
dual-gate device
independent gates; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Area equivalent WKB Compact modeling approach for tunneling probability in Hetero-Junction TFETs including ambipolar behaviour
Autorzy:: Horst, Fabian
Farokhnejad, Atieh
Darbandy, Ghader
Iñíguez, Benjamín
Kloes, Alexander
Data publikacji:: 2018
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: TFET
tunneling probability
WKB approximation
heterojunction
compact modeling
closed-form
double-gate
DG
ambipolarity
modelowanie kompaktowe
dwubiegunowość; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Reduced stress and fluctuation for the integrated α-Si TFT gate driver on the LCD
Autorzy:: Huang, N. X.
Shiau, M. S.
Wu, H.-C.
Sun, R. C.
Liu, D.-G.
Data publikacji:: 2010
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: sterownik bramy
fluktuacja hałasu
wpływ naprężenia
system w panelu
gate driver
fluctuation noise
stress effect
system on panel (SoP); Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Modeling the characteristics of high-k HfO2-Ta2O5 capacitor in Verilog-A
Autorzy:: Angelov, G. V.
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: modelowanie elementów elektronicznych
model kompaktowy
symulacja obwodu
dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
Verilog-A
Spectre
device modeling
compact models
circuit simulation
high-k gate dielectric; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Surface Potential Modeling of a High-k HfO2-Ta2O5 Capacitor in Verilog-A
Autorzy:: Angelov, G. V.
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: modelowanie elementów elektronicznych
model kompaktowy
PSP
symulacja obwodu
dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
Verilog-A
Spectre
device modeling
compact models
circuit simulation
high-k gate dielectric; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Rapid NEGF-based calculation of ballistic current in ultra-short DG MOSFETs for circuit simulation
Autorzy:: Hosenfeld, F.
Horst, F..
Graef, M.
Farokhnejad, A.
Kloes, A.
Iniguez, B.
Lime, F.
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: ultra-short Double-Gate MOSFET
nonequilibrium Green's function
NEGF
ballistic transport
source-to-drain tunneling
ultra-thin body
UTB
compact model
multi-scale simulation
nierównowagowe funkcje Greena
transport balistyczny
tunelowanie źródło-dren
model kompaktowy
symulacja wieloskalowa; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: Simulation framework and thorough analysis of the impact of barrier lowering on the current in SB-MOSFETs
Autorzy:: Schwarz, M.
Calvet, L. E.
Snyde, J. P.
Krauss, T.
Schwalke, U.
Kloes, A.
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: 2D Poisson equation
device modeling
double-gate MOSFET
field emission
framework
Schottky barrier
Synopsys
TCAD
thermionic emission
thermionic current
tunneling current
dwuwymiarowe równanie Poissona
modelowanie elementów elektronicznych
dwubramkowy tranzystor MOS
emisja polowa
bariera Schottky'ego
emisja termoelektronowa
prąd termoelektronowy
prąd tunelowy; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Informacja

Wyszukujesz frazę "‑gate" wg kryterium: Temat