Temat: compact model - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Rapid NEGF-based calculation of ballistic current in ultra-short DG MOSFETs for circuit simulation
Autorzy:: Hosenfeld, F.
Horst, F..
Graef, M.
Farokhnejad, A.
Kloes, A.
Iniguez, B.
Lime, F.
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: ultra-short Double-Gate MOSFET
nonequilibrium Green's function
NEGF
ballistic transport
source-to-drain tunneling
ultra-thin body
UTB
compact model
multi-scale simulation
nierównowagowe funkcje Greena
transport balistyczny
tunelowanie źródło-dren
model kompaktowy
symulacja wieloskalowa; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Recent developments in Qucs-s Equation-Defined modelling of semiconductor devices and IC’s
Autorzy:: Brinson, M.
Kuznetsov, V.
Data publikacji:: 2017
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: Qucs
Qucs-S
Ngspice
XSPICE Code Models
compact semiconductor device modelling
Equation-Defined Devices
EDD
macromodels
XSPICE Code Model
makromodele; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Analog Circuits Sizing Using the Fixed Point Iteration Algorithm with Transistor Compact Models
Autorzy:: Javid, F.
Iskander, R.
Durbin, F.
Louerat, M.-M.
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: IP analogowe
design reuse
graf dwudzielny
model tranzystora
migracja technologii
analog IP
analog sizing
bipartite graphs
transistor compact models
technology migration; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Modeling the characteristics of high-k HfO2-Ta2O5 capacitor in Verilog-A
Autorzy:: Angelov, G. V.
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: modelowanie elementów elektronicznych
model kompaktowy
symulacja obwodu
dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
Verilog-A
Spectre
device modeling
compact models
circuit simulation
high-k gate dielectric; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Surface Potential Modeling of a High-k HfO2-Ta2O5 Capacitor in Verilog-A
Autorzy:: Angelov, G. V.
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Politechnika Łódzka. Wydział Mikroelektroniki i Informatyki
Tematy:: modelowanie elementów elektronicznych
model kompaktowy
PSP
symulacja obwodu
dielektryk bramkowy o wysokiej przenikalności elektrycznej
Verilog-A
Spectre
device modeling
compact models
circuit simulation
high-k gate dielectric; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Informacja