- Tytuł:
- CVD growth of high speed SiGe HBTs using SiH4
- Autorzy:
-
Radamson, H.H.
Grahn, J.
Landgren, G. - Data publikacji:
- 2000
- Wydawca:
- Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
- Tematy:
-
SiGe
epitaxy
HBT
silane - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki