Temat: Krzem - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Krzemowe warstwy epitaksjalne do zastosowań fotowoltaicznych osadzane na krzemie porowatym
Silicon epitaxial layers deposited on porous silicon for photovoltaic applications
Autorzy:: Lipiński, D.
Sarnecki, J.
Brzozowski, A.
Mazur, K.
Data publikacji:: 2012
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: warstwa epitaksjalna
CVD
krzem porowaty
ogniwo słoneczne
epitaxial layer
porous silicon
solar cell; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Metoda otrzymywania monokrystalicznych folii krzemowych z wykorzystaniem krzemu porowatego
A method of obtaining monocrystalline silicon foils using porous silicon
Autorzy:: Sarnecki, J.
Brzozowski, A.
Lipiński, D.
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: warstwa epitaksjalna
krzem porowaty
CVD
folia krzemowa
epitaxial layer
porous silicon
silicon foil; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Wysokorezystywne wzorce do pomiaru profilu rezystywności krzemowych warstw epitaksjalnych metodą oporności rozpływu w styku punktowym
High resistivity standards for measurement of resistivity profile in silicon epitaxial layers by spreading resistance method
Autorzy:: Brzozowski, A.
Sarnecki, J.
Lipiński, D.
Wodzińska, H.
Data publikacji:: 2013
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: rezystywność
oporność rozpływu
krzem monokrystaliczny
warstwa epitaksjalna
resistivity
spreading resistance
monocrystalline silicon
epitaxial layer; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Głębokie centra defektowe w krzemie o bardzo wysokiej rezystywności
Deep defect centers in ultra-high-resistivity FZ silicon
Autorzy:: Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Krupka, J.
Kozubal, M.
Wodzyński, M.
Żelazko, J.
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: głębokie centra defektowe
HRPITS
krzem o bardzo wysokiej rezystywności
deep defect centers
ultra-high-resistivity silicon; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Mechanical strength and fracture toughness of brittle monocrystalline and ceramic materials
Wytrzymałość mechaniczna i odporność na pękanie kruchych materiałów monokrystalicznych i ceramicznych
Autorzy:: Boniecki, M.
Kamiński, P.
Wesołowski, W.
Krzyżak, K.
Data publikacji:: 2016
Wydawca:: Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
Tematy:: Y2O3 ceramics
high-purity silicon
fracture toughness
bending strength
ceramika Y2O3
krzem
odporność na pękanie
wytrzymałość na zginanie; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

Szczegóły

Informacja