Wszystkie pola: Bańkowska Anna

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV
Zastosowanie selektywnego trawienia chemicznego do określenia położenia ścięć bazowych na monokrystalicznych płytkach o orientacji (100) wiązków półprzewodnikowych typu AIIIBV Joanna Pawłowska, Anna Bańkowska. = Application of selective chemical etching to producing on the orientation flats on the wafers III-V semiconducting compounds
Materiały Elektroniczne 2008 T.36 nr 3
Autorzy:: Pawłowska Joanna
Współwytwórcy:: Bańkowska Anna
Data publikacji:: 2008
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials
flats
chemical etching AIIIBV materials
trawienie chemiczne AIIIBV
ścięcie bazowe
Materiały elektroniczne
Electronic - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 2009 T.37 nr 2
Wzrost monokryształów antymonku galu w kierunku <111> oraz <100> metodą Czochralskiego
Wzrost monokryształów antymonku galu w kierunku <111> oraz <100> metodą = Czochralskiego = Growth of gallium antimonide single crystals in <111> and <100) directions by Czochralski method
Autorzy:: Mirowska Aleksandra
Współwytwórcy:: Orłowski Wacław
Hruban Andrzej
Bańkowska Anna
Data publikacji:: 2009
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: GaSb
własności optyczne
crystal growth
doping electrical properties
domieszkowanie
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
monokrystalizacja
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja