Temat: Epitaxy - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: InP nanowires for photovoltaic applications
Nanodruty InP do zastosowań w fotowoltaice
Materiały Elektroniczne. T. 43 Nr 4
Electronic Materials Vol. 43 Issue 4
Autorzy:: Dumiszewska Ewa
Współwytwórcy:: Jóźwik Iwona
Strupiński Włodzimierz
Krajewska Aleksandra
Grodecki Kacper
Data publikacji:: 2015
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: solar cell
InP
nanowires
Nanidorus
epitaxy
epitaksja
ogniwa słoneczne; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Modyfikacja technologii polerowania płytek GaSb stosowanych jako podłoża w procesie epitaksji = Modification of mechanical-chemical treatment technology of epi-ready GaSb substrates
Materiały Elektroniczne. T. 42 Nr 2
Modyfikacja technologii polerowania płytek GaSb stosowanych jako podłoża w procesie epitaksji
Electronic Materials T. 42 Nr 2
Autorzy:: Smoczyński, Dariusz
Data publikacji:: 2014
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: GaSb
obróbka mechaniczno-chemiczna
oxidation
roughness
mechanical - chemical treatment
epitaxy
epitaksja
utlenianie katalityczne; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Dyfuzja niklu w procesie wzrostu klrzemowych warstw epitaksjalnych
Materiały Elektroniczne 1994 T.22 nr 4
Dyfuzja niklu w procesie wzrostu klrzemowych warstw epitaksjalnych = Nickel diffusion during the growth of epitaxial silicon
Autorzy:: Plewa Dariusz
Współwytwórcy:: Kamiński Paweł
Kozłowski Roman
Data publikacji:: 1994
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: silicon epitaxy
dyfuzja
Ni
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
nickel diffusion
Electronic - journal - materials
epitaksja krzemu
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Charakteryzacja warstw epitaksjalnych z tellurku kadmowo-rtęciowego (Hg1-xCdxTe) za pomocą wykonanych fotodiod = Characterization of mercury cadmium telluride (Hg, Cd, Te) epitaxial layers using the manufacturing photodiodes
Charakteryzacja warstw epitaksjalnych z tellurku kadmowo-rtęciowego (Hg1-xCdxTe) za pomocą wykonanych fotodiod
Materiały Elektroniczne 2011 T.39 nr 3
Autorzy:: Królicka Aleksandra
Data publikacji:: 2011
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: MOCVD
Elektronika - czasopismo - materiały
photodetector
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
photodiode
epitaxy
epitaksja
Electronic - journal - materials
fotodetektor
infrared detector; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1993 T.21 nr 1
Optymalizacja profilu koncentracji domieszki w warstwach GaAs otrzymywanych metodami MOVPE i HVPE
Optymalizacja profilu koncentracji domieszki w warstwach GaAs otrzymywanych metodami MOVPE i HVPE = Optimalization of doping profile in GaAs epilayers obtained by MOVPE and HVPE methods
Autorzy:: Strupiński Włodzimierz
Data publikacji:: 1993
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: doping profile
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
epitaxy
epitaksja
Electronic - journal - materials
profil koncentracji domieszki
GaAs
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 4
Generacja dyslokacyjnych linii poślizgu w płytkach krzemowych podczas procesu epitaksji
Generacja dyslokacyjnych linii poślizgu w płytkach krzemowych podczas procesu epitaksji = Generation of dislocation slips in Si wafers during epitaxial process
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Skwarcz Jerzy
Wodzińska Halina
Tkaczuk Andrzej
Nowotniak Helena
Zielińska Teresa
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: silicon wafer
silicon epitaxy
linia poślizgu
płytka krzemowa
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
Electronic - journal - materials
doslocation slip
epitaksja krzemu
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Epitaksja krzemu na krzemie porowatym = Silicon epitaxy over porous silicon
Materiały Elektroniczne 1995 T.23 nr 3
Epitaksja krzemu na krzemie porowatym
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Lipiński Dariusz
Brzozowski Andrzej
Pawłowska Marta
Data publikacji:: 1995
Wydawca:: ITME
Słowa kluczowe:: silicon epitaxy
krzem porowaty
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
fizyczno-chemiczne osadzanie z fazy gazowej
CVD
porous silicon
epitaksja krzemu
Elektronika - czasopismo - materiały
Electronic - journal - materials; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja