- Tytuł:
- On Morphology of Aluminum–Gallium Nitride Layers Grown by Halide Vapor Phase Epitaxy: The Role of Total Reactants’ Pressure and Ammonia Flow Rate
- Autorzy:
- Jaroszyńska, Arianna
- Współwytwórcy:
- Jaroszyńska, Arianna
- Data publikacji:
- 2024-09-06
- Wydawca:
- RepOD
- Tematy:
-
Engineering
Physics
nitride semiconductors
aluminum-gallium nitride (AlGaN)
Halide Vapor Phase Epitaxy (HVPE)
crystal growth
growth morphology
supersaturation - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- Repozytorium Otwartych Danych
Inne