Temat: Epitaxy - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych = Reversed epitaxy in the silicon devices technology
Epitaksja odwrotna w technologii otrzymywania krzemowych przyrządów półprzewodnikowych
Materiały Elektroniczne 1978 nr 1(21)
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Tomaszewski Jerzy
Grudzieński Andrzej
Data publikacji:: 1978
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: reversed epitaxy
Si
epitaksja odwrotna
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
CVD
Electronic - journal - materials
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1985 nr 2(50)
Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu
Ograniczenie zjawiska samodomieszkowania w epitaksji krzemu = Limitation of the autodoping effects a silicon epitaxy
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Współwytwórcy:: Szymkiewicz Andrzej
Sarnecki Jerzy
Data publikacji:: 1985
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: autodoping
Elektronika - czasopismo - materiały
samodomieszkowanie
Materiały elektroniczne
Electronic materials
epitaksja Si
CVD
Si epitaxy
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1976 nr 4(16)
Osobliwości wzrostu warstw epitaksjalnych z ograniczonej objętości roztworu ciekłego = Peculiarties of the epitaxial layers fropm limited volume of liquid solution
Osobliwości wzrostu warstw epitaksjalnych z ograniczonej objętości roztworu ciekłego
Autorzy:: Litwin A.A.
Współwytwórcy:: Nowysz, K. Tł.
Maronczuk I.E.
Puchow J.G.
Data publikacji:: 1976
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: epitaksja z fazy ciekłej
Elektronika - czasopismo - materiały
Materiały elektroniczne
epitaxy
wzrost epitakslany
Electronic - material
LPE
Electronic - journal - material; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Materiały Elektroniczne 1983 nr 4(44)
Epitaksja krzemu. Kierunki rozwoju
Epitaksja krzemu. Kierunki rozwoju = Silicon epitaxy. Trends
Autorzy:: Nossarzewska-Orłowska Elżbieta
Data publikacji:: 1984
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: silicon epitaxy
Electronic - materials
Materiały elektroniczne
CVD
VLSI
Electronic - journal - materials
parametry struktur epitaksjalnych
epitaksja krzemu
Elektronika - czasopismo - materiały; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te = Dislocation effect on electron trap concentration in Te-doped GaAs0.6P0.4
Wpływ gęstości dyslokacji na strukturę defektową warstw epitaksjalnych GaAs0.6:Te
Materiały Elektroniczne 1986 nr 1(53)
Autorzy:: Kamiński Paweł
Współwytwórcy:: Sroczyński Paweł
Surma Barbara
Data publikacji:: 1986
Wydawca:: Wydaw. Przemysłu Maszynowego "WEMA"
Słowa kluczowe:: warstwa epitaksjalna
defekt
Elektronika - czasopismo - materiały
defect
gęstość dyslokacji
epitaxy layer
Materiały elektroniczne
Electronic materials
dislocation density
Electronic - journal - material
GaAsP:Te; Pokaż więcej
Dostawca treści:: RCIN - Repozytorium Cyfrowe Instytutów Naukowych

Książka

Szczegóły

Informacja