Temat: 72.20.-I - Prolib Integro

Drogi użytkowniku, aplikacja do prawidłowego działania wymaga obsługi JavaScript. Proszę włącz obsługę JavaScript w Twojej przeglądarce.

Wyszukujesz frazę "72.20.-I" wg kryterium: Temat

Wyświetlanie 1-10 z 15

Zaznacz

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Effect of Deep-Level Defects on Transient Photoconductivity of Semi-Insulating 4H-SiC
Autorzy:: Suproniuk, M.
Kamiński, P.
Kozłowski, R.
Pawłowski, M.
Data publikacji:: 2014-04
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.40.+w
71.55.-i
72.20.-i; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Influence of Chemical Composition of Liquid Phase and Growth Process on Physical Properties of $Bi_2Se_3,$ $Bi_2Te_3$ and $Bi_2Te_2Se$ Compounds
Autorzy:: Hruban, A.
Materna, A.
Dalecki, W.
Strzelecka, G.
Piersa, M.
Jurkiewicz-Wegner, E.
Diduszko, R.
Romaniec, M.
Orłowski, W.
Data publikacji:: 2011-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.-i
72.10.-d
72.15.-v
72.20.-I
73.20.-r; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Synthesis, Roentgenophase Analysis and Physical Properties of $TlIn_{1-x}Er_xSe_2$ Solid Solutions
Autorzy:: Mustafaeva, S.
Kerimova, E.
Gasanov, A.
Data publikacji:: 2015-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.20.Eh
71.20.-b
71.20.Nr
71.55.-i
72.15.Eb
72.15.Rn
72.20.-i
72.20.Ee
72.20.Jv
72.30.+q; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Deep Traps Distribution in $TlInS_2$ Layered Crystals
Autorzy:: Isik, M.
Gasanly, N.
Ozkan, H.
Data publikacji:: 2009-03
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.-i
72.20.Jv
72.80.Jc; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Long-Lasting Current Transient Phenomena in TlBr
Autorzy:: Kažukauskas, V.
Ziminskij, A.
Vainorius, N.
Gostilo, V.
Shorohov, M.
Bozhko, V.
Data publikacji:: 2011-02
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.-i
72.20.Jv
72.40.+w
72.60.+g
72.80.Jc; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: Excitation of Deep Defects by Intense Terahertz Radiation
Autorzy:: Ganichev, S. D.
Data publikacji:: 1999-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.-i
72.20.Ht
72.40.+w
72.30.+q; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Trapping Center Parameters in N-Implanted $Tl_2Ga_2S_3Se$ Single Crystals by Thermally Stimulated Currents Measurements
Autorzy:: Yildirim, T.
Gasanly, N.
Turan, R.
Data publikacji:: 2013-04
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.-i
72.20.Jv
72.80.Jc; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 8.

Tytuł:: Thermally Stimulated Current Study of Shallow Traps in As-Grown $TlInSe_2$ Chain Crystals
Autorzy:: Gasanly, N.
Yildirim, T.
Data publikacji:: 2011-03
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 71.55.-i
72.20.Jv
72.80.Jc; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 9.

Tytuł:: Metastability of Localized Neutral Donor State In GaAs
Autorzy:: Skierbiszewski, C.
Jantsch, W.
Lübke, K.
Wilamowski, Z.
Suski, T.
Data publikacji:: 1995-11
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.20.Fr
71.55.-i; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Skocz do pozycji: 10.

Tytuł:: DX Puzzle: Where Are We Now?
Autorzy:: Wilamowski, Z.
Suski, T.
Jantsch, W.
Data publikacji:: 1992-10
Wydawca:: Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
Tematy:: 72.20.Jv
71.55.-i; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Biblioteka Nauki

Artykuł

na półce

Szczegóły

Wyświetlanie 1-10 z 15

Ta witryna wykorzystuje pliki cookies do przechowywania informacji na Twoim komputerze. Pliki cookies stosujemy w celu świadczenia usług na najwyższym poziomie, w tym w sposób dostosowany do indywidualnych potrzeb. Korzystanie z witryny bez zmiany ustawień dotyczących cookies oznacza, że będą one zamieszczane w Twoim komputerze. W każdym momencie możesz dokonać zmiany ustawień dotyczących cookies