- Tytuł:
- Optical Properties of GaN Epilayers grown by Gas Source Molecular Beam Epitaxy on AlN Buffer Layer on (111) Si
- Autorzy:
-
Godlewski, M.
Bergman, J. P.
Monemar, B.
Rossner, U.
Barski, A. - Data publikacji:
- 1996-10
- Wydawca:
- Polska Akademia Nauk. Instytut Fizyki PAN
- Tematy:
-
71.55.Eq
71.35.+z
78.47.+p - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł