Temat: Epitaxy - Prolib Integro

Skocz do pozycji: 1.

Tytuł:: Using both faces of polar semiconductor wafers for functional devices-data set
Autorzy:: Turski, Henryk
Współwytwórcy:: Turski, Henryk
Data publikacji:: 2024-10-11
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Engineering
Physics
epitaxy
GaN; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

Szczegóły

Skocz do pozycji: 2.

Tytuł:: Electrical and optical characteristics for the ultra-thin InGaN LED obtained before and after transfer
Autorzy:: Chlipała, Mikołaj
Akritidis, Konstantinos
Iryna Levchenko
Gibasiewicz, Krzysztof
Brstilo, Tara
Billet, Maximilien
Van Dorpe, Pol
Fiuczek, Natalia
Sawicka, Marta
Kuyken, Bart
Turski, Henryk
Współwytwórcy:: Chlipała, Mikołaj
Data publikacji:: 2025-04-04
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Engineering
Physics
Gallium nitride
Molecular beam epitaxy
multiple QW
nitride semiconductors
InGaN quantum wells
epitaxy
transfer printig; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

Szczegóły

Skocz do pozycji: 3.

Tytuł:: Three-layered composite scintillator based on the epitaxial structures of YAG and LuAG garnets doped with Ce3+ and Sc3+ impurities
Autorzy:: Witkiewicz-Łukaszek, Sandra
Współwytwórcy:: Witkiewicz-Łukaszek, Sandra
Data publikacji:: 2025-01-17
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Engineering
Physics
composite scintillators
liquid phase epitaxy
films; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

Szczegóły

Skocz do pozycji: 4.

Tytuł:: Competition between built-in polarization and p–n junction field in III-nitride heterostructures-data set
Autorzy:: Turski, Henryk
Chlipala, Mikolaj
Zdanowicz, Ewelina
Rogowicz, Ernest
Muziol, Grzegorz
Moneta, Joanna
Grzanka, Szymon
Krysko, Marcin
Syperek, Marcin
Kudrawiec, Robert
Skierbiszewski, Czeslaw
Współwytwórcy:: Turski, Henryk
Data publikacji:: 2024-07-15
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Engineering
Physics
Gallium nitride
Molecular beam epitaxy
quantum wells; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

Szczegóły

Skocz do pozycji: 5.

Tytuł:: Evolution of the Growth Mode and Its Consequences during Bulk Crystallization of GaN
Autorzy:: Sochacki, Tomasz
Współwytwórcy:: Sochacki, Tomasz
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Engineering
Physics
GaN
crystal growth
basic ammonothermal method
halide vapor phase epitaxy
growth morphology
growth model; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

Szczegóły

Skocz do pozycji: 6.

Tytuł:: On Morphology of Aluminum–Gallium Nitride Layers Grown by Halide Vapor Phase Epitaxy: The Role of Total Reactants’ Pressure and Ammonia Flow Rate
Autorzy:: Jaroszyńska, Arianna
Współwytwórcy:: Jaroszyńska, Arianna
Data publikacji:: 2024-09-06
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Engineering
Physics
nitride semiconductors
aluminum-gallium nitride (AlGaN)
Halide Vapor Phase Epitaxy (HVPE)
crystal growth
growth morphology
supersaturation; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

Szczegóły

Skocz do pozycji: 7.

Tytuł:: Ultra-high pressure annealing of Mn-implanted HVPE-GaN - raw data
Autorzy:: Jaroszyńska, Arianna
Współwytwórcy:: Jaroszyńska, Arianna
Data publikacji:: 2023-10-17
Wydawca:: RepOD
Tematy:: Engineering
Physics
ultra-high pressure annealing (UHPA)
ion implantation
manganese
gallium nitride
halide vapor phase epitaxy GaN (HVPE-GaN)
diffusion doping; Pokaż więcej
Dostawca treści:: Repozytorium Otwartych Danych

Inne

Szczegóły

Informacja