- Tytuł:
- Optimisation of LT-GaN nucleation layer growth conditions for the improvement of electrical and optical parameters of GaN layers
- Autorzy:
- Wośko, Mateusz
- Data publikacji:
- 2019
- Wydawca:
- Politechnika Wrocławska. Oficyna Wydawnicza Politechniki Wrocławskiej
- Tematy:
-
GaN
nucleation
recrystallization
metalorganic chemical vapor deposition
nitrides
LED
MSM
MESFET devices - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki