- Tytuł:
- Edge termination design for 1.7 kV silicon carbide p-i-n diodes
- Autorzy:
-
Taube, A.
Sochacki, M. - Data publikacji:
- 2020
- Wydawca:
- Polska Akademia Nauk. Czytelnia Czasopism PAN
- Tematy:
-
edge termination
silicon carbide
4H-SiC
p-i-n diode
breakdown voltage
JTE - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł