- Tytuł:
- The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma
- Autorzy:
-
Kalisz, M.
Głuszko, G.
Beck, R. B. - Data publikacji:
- 2010
- Wydawca:
- Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
- Tematy:
-
capacitance-voltage characteristics
current-voltage characteristics
fluorine plasma
high temperature annealing process
radio frequency reactive ion etching - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł