- Tytuł:
- Technology of MISFET with SiO2/BaTiO3 System as a Gate Insulator
- Autorzy:
-
Firek, P.
Szmidt, J. - Data publikacji:
- 2009
- Wydawca:
- Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy
- Tematy:
-
barium titanate
I-V characteristics
MISFET structures
radio frequency plasma sputtering - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł