- Tytuł:
-
Badanie głębokich centrów defektowych w warstwach epitaksjalnych GaN:Si metodą niestacjonarnej spektroskopii pojemnościowej (DLTS)
Investigation of deep centres in epitaxial GaN:Si by deep level transient spectroscopy (DLTS) - Autorzy:
- Kozubal, N.
- Data publikacji:
- 2006
- Wydawca:
- Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Technologii Materiałów Elektronicznych
- Tematy:
-
struktura defektowa półprzewodników
niestacjonarna spektroskopia pojemnościowa
badanie centrów defektowych
warstwa epitaksjalna GaN:Si
wpływ wysokoenergetycznego promieniowania protonowego
promieniowanie protonowe - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- Biblioteka Nauki
Artykuł