- Tytuł:
- Wpływ reaktywnego trawienia jonowego wspomaganego plazmą BCl3 na jakość powierzchni węglika krzemu 4H-SiC
- Autorzy:
-
Stonio, Bartłomiej
Kwietniewski, Norbert
Firek, Piotr
Słowikowski, Mateusz
Pavłov, Krystian
Caban, Piotr
Sochacki, Mariusz
Szmidt, Jan - Data publikacji:
- 2019
- Słowa kluczowe:
-
suche trawienie
4H-SiC
jakość powierzchni
techniki plazmowe
silicon carbide
plasma etching
surface quality - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł