- Tytuł:
- Reactive ion etching of 4H-SiC with BCl3 plasma
- Autorzy:
-
Stonio, Bartłomiej
Kwietniewski, Norbert
Firek, Piotr
Sochacki, Mariusz - Data publikacji:
- 2021
- Słowa kluczowe:
-
silicon carbide
4H-SiC
plasma etching
BCl3
RIE
węglik krzemu
trawienie plazmowe - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech