- Tytuł:
- High power (>1 W) room-temperature (300 K) 980 nm continuous-wave AlGaAs/InGaAs/GaAs semiconductor lasers
- Autorzy:
-
Kosiel, K.
Muszalski, J.
Szerling, A.
Bugajski, M. - Data publikacji:
- 2007
- Słowa kluczowe:
-
high power semiconductor laser
graded refractive index separate
confinement heterostructure (GRINSCH)
threshold current
external efficiency
Auger recombination
spontaneous radiative recombination
nonradiative recombination - Pokaż więcej
- Dostawca treści:
- BazTech
Artykuł